一、光盘价格

本套技术光盘共1盘，售价150元。外地款到发货或走支付宝(也可让北京朋友代收),北京可货到付款(邮费另算)。每张光盘包括每一系列全部专利技术资料，每项专利技术资料均为正式专利全文说明书，含技术配方、加工工艺、质量标准等；同时包括专利发明人、权利要求书、说明书和附图等。

二、联系方式：

电话：010-81773191，13911228863，孙先生。因为有的朋友方言很重，不易听懂，购买时请用手机将你的地址、邮编和收件人发短信到13911228863，谢谢合作！

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三、 内容简介

敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。

791801600001 管理非易失存储器系统中的数据完整性的方法和装置
摘要 揭示通过划分页为区段并使用扩展的纠错码(ECC)计算独立地地编码区段来编码和页关联的数据的方法和装置。根据本发明的一个方面，编码和在存储器系统的非易失存储器中有数据区域和开销区域的页关联的数据的方法包括划分页的至少一部分为至少两个数据区段，至少两个数据区段包括第一个区段和第二个区段，并在第一个区段上执行ECC计算来编码第一个区段。该方法还包括本质上独立于第一个区段在第二个区段上执行ECC计算来编码第二个区段。
791801810002 电源供给装置及其电源供给方法
摘要 本发明涉及切换若干种电源使用的电源供给装置及其电源供给方法。本发明的电源供给装置，包括使用一共有的直流电源的若干电源电路，产生若干振荡信号的振荡电路，及控制部，控制部根据从共有的振荡电路输出的振荡信号，时分控制上述若干电源电路接受来自上述直流电源的供给电力的时间，上述直流电源输出相应的电压。能降低所发生的噪声，以共用振荡信号控制若干电源电路。
791800620003 多重位闪存的参考电流产生电路
一种多重位闪存的参考电流产生电路，是使用相同的一推升字符线电压，来施加于不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极，并以施加不同的基底电压于参考存储单元的基底，来达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压VCC的变化而有不同漂移的问题。
791800900004 带由分离读写信号驱动逻辑行解码器电路的边读边写闪存
摘要 闪存装置能包括本地行解码器电路，其配置为响应从本地行解码器电路外部提供到该本地行解码器电路的分开的读和写控制信号来驱动耦合到闪存的存储体的字线。所以，多重本地行解码器电路能被向其提供分开的读和写控制信号的单个全局行解码器电路所控制。通过将用于解码地址的组合逻辑电路置于全局行解码器电路而非本地行解码器电路中，可以减少本地行解码器电路的体积，从而减小了闪存装置的体积。例如，根据本发明的一些实施例，用于地址解码的与非逻辑电路定位于全局行解码器电路中，因此，允许减少分配给本地行解码器电路的区域。而且，由于在闪存装置中可以由许多本地行解码器电路实现，所以闪存装置的总体积可以减小。
791801200005 磁电阻效应元件和磁存储器
摘要 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。
791801880006 多层聚合物膜及其用途
摘要 多层膜用在存储或检索信息的用途，所述信息与该膜的多层结构关联，并且所述多层膜包含至少两种不同类型的层，其中每种类型的层显示不同的光学性能并且其中多层膜包含多个层，每层均来自至少两种不同类型的层之一；存储信息的方法、检索已存储信息的方法和防止伪造或假冒的方法，该方法采用了所述的多层膜。
791800270007 动态随机存取存储器以及用于单级读出的方法
摘要 公开了一种用于具有单级读出结构的DRAM的方法和系统。在此结构中，在读操作期间，在将存储器单元连接到数据I/O的任何一条数据通路中，具有一个并且仅有一个读出放大器。这种读出和锁存方案允许用于快速执行读、写、反写和刷新操作。根据本实施例，在一个或两个周期内执行读和反写操作。阵列和位线的多路复用导致了芯片面积的有效利用。
791800240008 利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器
摘要 本发明提供一种存储器，该存储器包括有多个记忆单元、一检测负载单元、一基准负载单元、一控制电路及一比较器。其中各记忆单元可存储一位数据并根据该位数据提供一驱动电流；检测负载单元可根据该驱动电流及一驱动电压而产生一检测电压，基准负载单元则能根据该驱动电压而产生一基准电压。而控制电路则能控制该驱动电压的大小，以驱动该检测负载单元或该基准负载单元而将该检测电压或该基准电压维持于一定值，不随该驱动电流改变而改变。而该比较器则可比较该检测电压及该基准电压的大小，并据此判断记忆单元中存储的位数据。
791800910009 并行处理数据读出与写入的薄膜磁性体存储器
摘要 本发明提供一种薄膜磁性体存储器，对应MTJ存储单元的各列设置位线(BL)。另一方面，对应MTJ存储单元的各行设置作为读出选择线用的字线(WL)与作为写入选择线用的写入数位线(WDL)。并且独立设置字线译码器(20r)与数据线译码器(20w)，前者根据读出端口(2)上输入的读出地址(ADDr)有选择地激活字线(WL)，后者根据写入端口(3)上输入的写入地址(ADDw)有选择地激活写入数位线(WDL)。
791801060010 为闪存储器和其他应用提供电压的感应电荷泵
摘要 一个能提高效率的直流电压升压电路。直流电压升压电路包括一个感性元件，一个开关设备，一个输出容性元件和一个调整电路。开关设备根据控制信号周期性地引发电流流经感性元件。每一次开关设备引发电流流过感性元件时，感性元件就存储能量。当开关设备阻止电流流向感性元件时，存储在感性元件中的能量就转移到输出容性元件中。容性元件对存储在感性元件中的能量以电荷的形式进行积累，以形成输出电压，并以产生控制信号用于此开关设备使输出电压能够得到调制。控制信号可以是调频信号或者脉宽调制信号。也公开了一个集成电路，包括一个集成电路组件，一个结合开关设备和调整电路的芯片，其中感性和客性元件置于集成电路组件以内，但在芯片外部。