一、光盘价格
本套技术光盘共1盘，售价150元。外地款到发货或走支付宝(也可让北京朋友代收),北京可货到付款(邮费另算)。每张光盘包括每一系列全部专利技术资料，每项专利技术资料均为正式专利全文说明书，含技术配方、加工工艺、质量标准等；同时包括专利发明人、权利要求书、说明书和附图等。
二、联系方式：
电话：010-81773191，13911228863，孙先生。因为有的朋友方言很重，不易听懂，购买时请用手机将你的地址、邮编和收件人发短信到13911228863，谢谢合作！
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三、 内容简介
敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。
744001270001 水系保护膜剥离液管理装置及水系保护膜剥离液管理方法
摘要 按照本发明的水系保护膜剥离液管理装置，是在调整槽内对在保护膜剥离设备中使用的水系保护膜剥离液进行管理的水系保护膜剥离液管理装置。在本装置中，在保护膜剥离处理槽(调整槽)中，通过管路将测定水系保护膜剥离液中的水分浓度的吸光光度计和测定劣化成分浓度的电导率计连接，基于这些测定值，向保护膜剥离处理槽中供给保护膜剥离原液、保护膜剥离再生液、纯水、以及预先调合的保护膜剥离新液中的至少任一种。由此，在使水系保护膜剥离液的保护膜剥离性能维持稳定的同时，能够谋求使用液量的削减以及操作停止时间的缩短。
744000260002 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法
摘要 本发明涉及湿法刻蚀中的光刻技术，将抛光的样品用溶剂超声清洗；用热的保护性气体将样品吹干去湿，经粘附增强剂处理；用光刻胶溶液旋转涂覆，在一定温度下烘干去除溶剂；前烘之后的样品完全曝光，再用光刻胶溶液旋转涂覆烘干并掩膜光刻，显影之后固化，得到厚的掩膜光刻胶，最后腐蚀。采用本发明提供的用普通UV光深层光刻的分离曝光技术，解决了微细加工技术中的深度腐蚀问题，简化器件的制备工艺，降低成本。适用于微电子集成电路、集成光路等微细结构的制备。
744000710003 控制形成金属薄膜电极小剖面斜角的方法及其产品
一种控制形成金属薄膜电极小剖面斜角的方法及其产品，包括在基板上形成作为金属电极的双层金属结构，利用湿蚀刻溶液对于双层金属结构的上层金属的蚀刻率大于下层金属，形成具有小剖面斜角的金属薄膜，达到降低制造成本及提高产能，并使得沉积其上的绝缘层具有良好的阶梯覆盖性，进而提升优良率的目的。
744000470004 光掩膜、其制作方法及使用了该掩膜的模样形成方法
摘要 在由掩膜组成的透射性基板100上形成有由遮光膜区域101和移相区102构成的孤立的遮光性模样。移相区102相对于透射性基板100的光透射区具有位相差。还有，移相区102的宽度被设定为与具有同一宽度的遮光膜的遮光性能相比移相区102的遮光性能在同等程度以上。
744001190005 使用空气影像仿真器来评估掩模影像的方法
摘要 本发明揭示一种评估晶圆架构制成过程的方法，此方法包括真实掩模图案轮廓的提取，以及使用真实掩模图案以获得一种仿真晶圆架构(350′)的光刻制程的仿真。该真实掩模图案轮廓的提壬以包括，例如，将使用一种扫描式电子显微镜(SEM)(105)的真实掩模(107)成像。藉由仿真光刻制程，使用过去用于制造真实掩模图案的理想掩模图案设计，而可以同样地获得第二仿真晶圆架构(350″)。因此，可以藉由比较这两种仿真晶圆架构，而来评估掩模图案效应对所有晶圆邻近效应的相对贡献。于是可以使用这种信息，以产生光学邻近更正(OPC)掩模设计，该设计补偿了掩模图案误差，并且给予良好的晶圆性能。
744001620006 光掩模的制造方法
摘要 本发明提供一种光掩模制造方法。根据该方法，可获得重复图形区域中形状等均匀性高、斑纹少的灰调掩模。而且可减少描绘数据的容量。该方法包含用沿描绘装置的头的扫描方向(Y方向)的规定扫描单位和沿与扫描方向垂直的方向(X方向)的规定进给单位进行描绘的描绘工序，其特征在于，所述光掩模的图形包含重复图形，所述描绘工序包含下述工序：对包含相同重复图形的图形单位(例如像素单位20)，用分别相同的进给条件描绘各图形单位(例如把格栅的头17a与各描绘单位20的左端对齐以便总是从各描绘单位20的左端开始描绘)。
744000460007 负性光敏平版印刷版
摘要 一种负性光敏平版印刷版包括载体和光敏层，其中光敏层含有：i)带有可自由基聚合基团和酸基团的改性聚(乙烯醇)树脂粘合剂；以及ii)光聚合引发剂和热聚合引发剂中的至少一种。
744001340008 焦点监测用光掩模、监测方法、监测装置及其制造方法
摘要 本发明的焦点监测用光掩模5包括透过曝光光的基板5a和聚焦监测用单元掩模结构Q。焦点嗖庥玫ピ?谀＝峁?具有在基板5a的表面上形成的2个位置测量用图形5b1、5b2，以及在基板5a的背面形成的、而且具有使对2个位置测量用图形5b1、5b2的曝光光的入射方向产生实质性差异用的背面图形5d的遮光膜5c。当假定背面图形5d的尺寸为L，曝光光的波长为λ时，L/λ为10以上。<
744000230009 化学增强型正光刻胶组合物
摘要 本发明提供了一种具有优良的灵敏度和分辨率，并且证明不生成浮渣的化学增强型正光刻胶组合物，该组合物包括具有衍生自羟基苯乙烯的聚合单元和衍生自(甲基)丙烯酸2－乙基－2－金刚烷基酯的聚合单元的树脂，该树脂本身不溶或难溶于碱中，但在通过酸的作用使上述酸不稳定基团离解后变成碱可溶的；辐射敏感酸生成剂；和聚丙二醇。
744001980010 使用空间光调制器的图形产生系统
摘要 在对光辐射灵敏的工件诸如光掩膜、显示板或者微型光学器件上制作图形的一种系统，包括从EUV到IR的波长范围内发射光脉冲的一种源，具有至少一个调制元件(象素)并适合于被至少一种发射的光脉冲照射的一种空间光调制器(SLM)，以及在工件上制作调制器图像的投影系统。另外，该系统包括一种快速脉冲探测器，它探测每个单独脉冲的输出脉冲能量以及对每个所述单独脉冲产生与所述单独脉冲的输出脉冲能量对应的一种信号，响应时间在纳秒或亚纳秒范围内来阻塞每个脉冲区段的开关，配置所述开关以被来自所述快速脉冲探测器的所述信号控制，以便在所述单独脉冲的输出脉冲能量测量结果的基础上将每个单独脉冲的能量输出控制为近似所需的能量输出。