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半导体存储器阵列类技术214项
发布时间:2013-09-26 03:51:18 存储 存储器 半导体

一、光盘价格

本套技术光盘共1盘,售价150元。外地款到发货或走支付宝(也可让北京朋友代收),北京可货到付款(邮费另算)。每张光盘包括每一系列全部专利技术资料,每项专利技术资料均为正式专利全文说明书,含技术配方、加工工艺、质量标准等;同时包括专利发明人、权利要求书、说明书和附图等。

二、联系方式:

电话:010-81773191,13911228863,孙先生。因为有的朋友方言很重,不易听懂,购买时请用手机将你的地址、邮编和收件人发短信到13911228863,谢谢合作!

官方网站:http://www.8002008.com.cn/zlgp.html

淘宝店铺:http://sunya8002008.taobao.com/

三、 内容简介

敬告:我公司只提供技术资料,不能提供任何实物产品及设备,也不能提供生产销售厂商信息。

792900210001 电荷耦合器件用的半导体器件
摘要 电荷耦合器件用的一种半导体器件包括一个信号输入部分,一个将输入信号转变为载流子并转移该载流子的电荷转移装置,以及一个将载流子转变为信号的信号输出部分.迮些装置和部分都配置在一块半导体衬底上.在被转移的载流子是电子时,信号输出部分能将被转移的载流子转变为正比于被转移电子电荷的输出信号电压;而在被转移的载流子是正空穴时,则转变为反比于被转移正空穴电荷的输出信号电压.
792900240002 读出放大器
摘要 一个读出放大器包括两个交叉耦合的场效应晶体管,该晶体管电容性地耦合到存储器单元的各自位线上.在预充电操作期间,两电容器被充电至代表两晶体管间的阈值分散电压的预充电电压.此后,在读出操作期间,预充电电压被加至晶体管的栅极以补偿阈值分散电压.
792900160003 程序可控半写体结构及其编制程序法
一个类型的集成电路阵列,包括几个程序可控单元,可以将这些程序可控单元编成四种可能的电阻抗状态.例如:第一种状态是在两个方向上电阻抗都是高的;第二种状态是在一个方向上电阻抗是高的,在相反方向上电阻抗是低的;第三种状态是在相反方向上电阻抗是高的,在第一个方向上电阻抗是低的;第四种状态是在两个方向上的电阻抗都是低的.
792900400004 在以微处理器为基础的装置内用于对存贮器进行高速高准确度的功能测试的方法和...
摘要 一种在待测的以微处理器为基础的装置或插件板中对存贮器进行高速、高准确度的功能测试的方法和系统,它包括一个在测试中永久有效地连到待测装置的总线结构上、并按待测装置的时钟速率工作的检测系统。测试程序可存贮在待测装置自己的存贮器内,或者用存贮器覆盖技术将其从测试系统的存贮器电转移至待测存贮器。利用较新型的微处理器的数据块移动和比较的特点进一步提高了存贮器测试速度。提供了利用块移动和比较特点的一种算法。
792901470005 容错存储器系统
摘要 一种存储器系统,该系统在很少增加存储器装置容量的情况下提供了冗余度。数据字被附加有ECC字,以提供第一级的误差检测和校正。在传送地址信号的过程中,冗余存储器寻址信号提供了故障余裕度。附加的故障余裕度是通过使用冗余时钟来实现的。多个数据位被分成多个功能块,其每一个都具有可被ECC进行校正的位容量,从而允许地址和数据硬件失效,并仍能提供有效数据。冗余DRAM控制信号保证包括刷新操作在内的正确的DRAM操作。
792901740006 修复半导体存储器器件中缺陷的方法和电路
摘要 本发明涉及修复半导体存储器器件中缺陷的方法和电路。电路包括与若干电保险丝并联的充电节点;输出有缺陷地址的存储信号的装置;根据存储信号向充电节点提供电流的装置;根据充电节点的逻辑电平输出冗余块驱动信号以便替换有缺陷地址的冗余传感放大器;以及控制器,用于对从所述存储器器件外部提供的地址信号解码,于是在被选择的保险丝中形成一个电流通路,保险丝被从充电节点提供的电流烧断,控制器由有缺陷地址的存储信号驱动。
792902030007 一种可附加程序或数据的软件卡匣
摘要 一种可附加程序或数据的软件卡,经由一总线连接至一中央处理单元,其包括:一第一存储器,其固定于前述软件卡内部,并经由前述总线和前述中央处理单元连接;及一存储器扩充装置,用以安装一第二存储器,且前述第二存储器可经由前述存储器扩充装置连接至前述总线,再经由前述总线连接至前述中央处理单元;使得前述中央处理单元可由前述总线读取前述第一存储器或前述第二存储器内的程序及数据。
792900600008 动态随机存取存储单元
摘要 在半导体基片20内形成一条沟槽,该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34,基片20用作该电容器的另一极板,沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38,随后在二氧化硅上蚀刻图形,露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板,随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50,通过氧化形成栅极绝缘体,漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成,随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54,把存储电容器之一连接至漏极区24,由此形成一个晶体管。
792901670009 半导体存储器装置及其驱动装置
摘要 一种半导体存储器装置包括:主体存储单元部;冗余存储单元部;由非易失性半导体存储器组成的、电气存储置换主体存储单元部中的失效存储单元的冗余存储单元地址的冗余地址数据单元部;控制电路部;冗余存储单元选择电路部。冗余存储单元选择电路部保持由冗余地址数据单元部读出的第1地址数据且把该第1地址数据与通过控制电路部输入的读出用或写入用的第2地址数据比较,从而选择主体存储单元部或冗余存储单元部。具有结构简单且能高速动作的优点。
792901630010 动态随机存取存储器
摘要 一种动态随机存取存储器,其中一种连接开关电路设置在一感应放大器和一数据总线之间,或设置在存储块之间,该存储块电路由相应的数据写/读控制信号控制,以便使其有能力以高速读取位线信号并可使集成电路的线路布局面积减小。
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